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光电工程学院张彤博士在《Applied Surface Science》上发表最新研究成果

发布时间:2018-09-17  来源:   查看:

近日,光电工程学院张彤博士在国际知名期刊《Applied Surface Science》上在线发表了名为“Positive threshold voltage shift in AlGaN/GaN HEMTs with p-type NiO gate synthesized by magnetron reactive sputtering“(SCI一区,影响因子4.439)的论文,张彤博士为第一作者,18luck新利手机版苹果光电工程学院为第一完成单位。

现代电子电路中,为了使失效安全和电路结构设计简单,通常采用P型半导体耗尽AlGaN / GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的方法使阈值电压达到正开启(常关)状态,由于目前微纳加工中P型GaN刻蚀技术难以掌控,因此本研究采用工艺简单的p-NiO作为栅级。研究结果表明,与Ni/Au栅极器件(常开型)相比,p-NiO栅极器件的阈值电压发生正向移动。分析结果显示,阈值电压的正向移动与NiO和AlGaN之间较高的能带偏移有关,通过拟合XPS光谱,得到NiO和AlGaN之间价带和导带的偏移为1.6eV和1.4eV(NiO薄膜的带隙为3.6 eV)。研究结果为进一步制作常关型功率器件打下了基础。

该研究工作得到了国家自然科学基金(2017YFB0403000)等的支持。

p-NiO栅极AlGaN / GaN HEMTs输出、转移特性以及NiO/AlGaN界面的XPS光谱拟合

文章链接网址:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433218322712